Interfacial Properties of the SnO/κ-Ga 2 O 3 p-n Heterojunction: A Case of Subsurface Doping Density Reduction via Thermal Treatment in κ-Ga 2 O 3

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:ACS applied materials & interfaces 2023-10, Vol.15 (39), p.45997-46009
Hauptverfasser: Rajabi Kalvani, Payam, Parisini, Antonella, Sozzi, Giovanna, Borelli, Carmine, Mazzolini, Piero, Bierwagen, Oliver, Vantaggio, Salvatore, Egbo, Kingsley, Bosi, Matteo, Seravalli, Luca, Fornari, Roberto
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1944-8244
1944-8252
DOI:10.1021/acsami.3c08841