Tunable Synaptic Characteristics of a Ti/TiO 2 /Si Memory Device for Reservoir Computing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2021-07, Vol.13 (28), p.33244-33252
Hauptverfasser:	Yang, Jinwoong, Cho, Hyojong, Ryu, Hojeong, Ismail, Muhammad, Mahata, Chandreswar, Kim, Sungjun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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