An Optically Gated Transistor Composed of Amorphous M + Ge 2 Se 3 (M = Cu or Sn) for Accessing and Continuously Programming a Memristor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2019-01, Vol.1 (1), p.96-104
Hauptverfasser:	Campbell, Kristy A., Bassine, Randall A., Kabir, Md. Faisal, Astle, Jeremy
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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