Selective Etching of SiO 2 by Radical Recombination through NF 3 /H 2 Pulsed RF Plasma

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2025-01, Vol.7 (1), p.407-416
Hauptverfasser:	Kim, Dae Whan, Gil, Hong Seong, Park, Woo Chang, Lee, Ji Yeon, Kim, Doo San, Jang, Yun Jong, Kim, Kyoung Chan, Pyun, Do Seong, Kim, Ju Young, Kim, Yongil, Yeom, Geun Young
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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