Selective Etching of SiO 2 by Radical Recombination through NF 3 /H 2 Pulsed RF Plasma

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2024-12
Hauptverfasser:	Kim, Dae Whan, Gil, Hong Seong, Park, Woo Chang, Lee, Ji Yeon, Kim, Doo San, Jang, Yun Jong, Kim, Kyoung Chan, Pyun, Do Seong, Kim, Ju Young, Kim, Yongil, Yeom, Geun Young
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!