Achieving Equivalent Oxide Thickness Scaling of a ZrO 2 Dielectric Thin Film via Gd Doping without Sacrificing Tetragonal Crystallinity

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2024-11
Hauptverfasser:	Lee, Seungwoo, Nam, Jihun, Choi, Yoona, Jeong, Jonghwan, Nam, Min Kyeong, Oh, Hansol, Kim, Hanbyul, Park, Yongjoo, Kim, Youngjin, Jeon, Woojin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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