Improved Gate Stability of Metal–Insulator–Semiconductor-High-Electron-Mobility Transistors with 10 nm Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 by Tetramethylammonium Hydroxide Wet Treatment

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2024-01, Vol.6 (1), p.150-154
Hauptverfasser:	Li, Yu, Zhou, Jiaan, Xing, Runxian, Lu, Shaoqian, Yang, An, Guo, Bohan, Liu, Bosen, Du, Zhongkai, Yu, Guohao, Zeng, Zhongming, Cai, Yong, Zhang, Baoshun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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