Photogain-Enhanced Signal-to-Noise Performance of a Polycrystalline Sn:Ga 2 O 3 UV Detector via Impurity-Level Transition and Multiple Carrier Transport

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2023-12, Vol.5 (12), p.7061-7069
Hauptverfasser:	Yao, Suhao, Liu, Zeng, Zhang, Maolin, Shu, Lincong, Xi, Zhaoying, Li, Lei, Yan, Sihan, Guo, Yufeng, Tang, Weihua
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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