Interfacial-Mixing and Band Engineering Induced by Annealing of CdS and a-Ga 2 O 3 n–n-Type Thin-Film Heterojunction and Its Impact on Carrier Dynamics for High-Performance Solar-Blind Photodetection

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2023-07, Vol.5 (7), p.3798-3808
Hauptverfasser:	Kaur, Damanpreet, Wadhwa, Riya, Nisika, Zhang, Yuchen, Kaswekar, Poojan Indrajeet, Qiao, Quinn, Sharma, Anju, Poliks, Mark D., Kumar, Mukesh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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