Field-Effect Mobility Extraction of Solution-Processed InGaZnO Thin-Film Transistors Considering Dielectric Dispersion Behavior of AlO x Gate Insulator

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2023-02, Vol.5 (2), p.1035-1040
Hauptverfasser:	Ji, Seon-Beom, Seong, Narkhyeon, Park, Jongjang, Im, Hwarim, Kim, Yong-Sang, Hong, Yongtaek
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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