Demonstration of Enhanced Switching Variability and Conductance Quantization Properties in a SiO 2 Conducting Bridge Resistive Memory with Embedded Two-Dimensional MoS 2 Material

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2022-06, Vol.4 (6), p.2869-2878
Hauptverfasser:	Kitsios, Stavros, Bousoulas, Panagiotis, Spithouris, Dimitris, Kainourgiaki, Maria, Tsigkourakos, Menelaos, Chatzopoulou, Polyxeni, Dimitrakopulos, George P., Komninou, Philomela, Tsoukalas, Dimitris
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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