High-Current Gain Two-Dimensional MoS 2 -Base Hot-Electron Transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nano letters 2015-12, Vol.15 (12), p.7905-7912
Hauptverfasser:	Torres, Carlos M., Lan, Yann-Wen, Zeng, Caifu, Chen, Jyun-Hong, Kou, Xufeng, Navabi, Aryan, Tang, Jianshi, Montazeri, Mohammad, Adleman, James R., Lerner, Mitchell B., Zhong, Yuan-Liang, Li, Lain-Jong, Chen, Chii-Dong, Wang, Kang L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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