Intrinsic Electron Mobility Exceeding 10 3 cm 2 /(V s) in Multilayer InSe FETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nano letters 2015-06, Vol.15 (6), p.3815-3819
Hauptverfasser:	Sucharitakul, Sukrit, Goble, Nicholas J., Kumar, U. Rajesh, Sankar, Raman, Bogorad, Zachary A., Chou, Fang-Cheng, Chen, Yit-Tsong, Gao, Xuan P. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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