Single Step Solution Processed GaAs Thin Films from GaMe 3 and t BuAsH 2 under Ambient Pressure

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2016-04, Vol.120 (13), p.7013-7019
Hauptverfasser:	Sathasivam, Sanjayan, Arnepalli, Ranga R., Bhachu, Davinder S., Lu, Yao, Buckeridge, John, Scanlon, David O., Kumar, Bhaskar, Singh, Kaushal K., Visser, Robert J., Blackman, Christopher S., Carmalt, Claire J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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