Behavior of a GaSb (100) Surface in the Presence of H 2 O 2 in Wet-Etching Solutions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2015-11, Vol.119 (44), p.24774-24780
Hauptverfasser:	Seo, Dongwan, Lee, Seunghyo, Lim, Sangwoo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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