Asymmetric Band Alignments and Remark Defect Tolerability at the Interface of High- k Dielectric Sb 2 O 3 and 2D Semiconductor MoS 2

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2024-06, Vol.128 (25), p.10627-10633
Hauptverfasser:	Liu, Qin, Zuo, Yang, He, Jingyu, Zeng, Minggang, Yang, Tong, Zhou, Jun, Yang, Yulin, Song, Ting Ting, Wang, Shijie, Yang, Ming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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