Thermal Atomic Layer Etching of Silicon Using O 2 , HF, and Al(CH 3 ) 3 as the Reactants

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Chemistry of materials 2018-12, Vol.30 (23), p.8465-8475
Hauptverfasser:	Abdulagatov, Aziz I., George, Steven M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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