Exploration, Prediction, and Experimental Verification of Structure and Optoelectronic Properties in I 2 -Eu-IV-X 4 (I = Li, Cu, Ag; IV = Si, Ge, Sn; X = S, Se) Chalcogenide Semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Chemistry of materials 2024-01, Vol.36 (1), p.340-357
Hauptverfasser: Wang, Tianlin, McWhorter, Timothy M., McKeown Wessler, Garrett C., Yao, Yi, Song, Ruyi, Mitzi, David B., Blum, Volker
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0897-4756
1520-5002
DOI:10.1021/acs.chemmater.3c02218