Basal Plane Dislocation Free Recombination Layers on Low-Doped Buffer Layer for Power Devices

We report a novel approach to grow BPD-free 4H-SiC device-ready epilayers, where we start by growing a thin low-doped buffer layer (5 × 1015 to 1 × 1016 cm–3, N-type) to achieve 100% BPD conversion, followed by a moderately thick (∼10 μm) higher-doped recombination layer (5 × 1016 to 1.6 × 1017 cm–3...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Crystal growth & design 2017-04, Vol.17 (4), p.1550-1557
Hauptverfasser:	Balachandran, Anusha, Sudarshan, T. S., Chandrashekhar, M. V. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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