Heteroepitaxial Growth of Thick α-Ga 2 O 3 Films on Sapphire Substrates by Flow Modulation Epitaxy with Halide Vapor Phase Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Crystal growth & design 2024-01, Vol.24 (1), p.205-213
Hauptverfasser:	Lee, Gieop, Cha, An-Na, Cho, Sea, Chung, Jeong Soo, Moon, Young-Boo, Ha, Jun-Seok
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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