In Situ Biasing TEM Characterization of Resistive Switching Phenomena in TiO 2 -based RRAM

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microscopy and microanalysis 2014-08, Vol.20 (S3), p.1548-1549
Hauptverfasser:	Kwon, Jonghan, Sharma, Abhishek A., Bain, James A., Picard, Yoosuf N., Skowronski, Marek
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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