Corrigendum to “Electrical and dielectric properties of ferromagnetic GeMn nanocrystals embedded in metal-oxide-semiconductor Schottky diodes (Al/SiO2:GeMn NCs/n-Si) grown by MBE” [Vacuum 224 (2024) 113191]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Vacuum 2024-09, Vol.227, p.113362, Article 113362
Hauptverfasser:	Amdouni, S., Aouassa, M., Bouaabdellaoui, M., Aladim, A.K., Yahyaoui, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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