Elastic backscattering during boron implantation in Si1-Ge

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Vacuum 2024-01, Vol.219, p.112740, Article 112740
Hauptverfasser: Bai, Quan, Dialameh, Masoud, Morris, Richard J.H., Vickridge, Ian, Vantomme, André, Meersschaut, Johan
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0042-207X
DOI:10.1016/j.vacuum.2023.112740