E-mode All-GaN-Integrated cascode MISHEMT with GaN/InAlGaN/GaN backbarrier for high power switching performance: Simulation study

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Micro and nanostructures (2022) 2022-04, Vol.164, p.107118, Article 107118
Hauptverfasser:	Singh, Preeti, Kumari, Vandana, Saxena, Manoj, Gupta, Mridula
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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