Influence of S vacancy and O doping in MoS2/GaN heterostructure on charge carrier dynamics: A time-domain ab initio study

Influence of S vacancy and O doping in MoS2/GaN heterostructure on charge carrier dynamics: A time-domain ab initio study

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures Low-dimensional systems & nanostructures, 2024-01, Vol.156, p.115860, Article 115860
Hauptverfasser: Li, Zheng, Ma, Shuhong, Jiao, Zhaoyong
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1386-9477
DOI:10.1016/j.physe.2023.115860