Corrigendum to: Electrical and dielectric characterization of Ge quantum dots embedded in MIS structure (AuPd/SiO2:Ge QDs/n-Si) grown by MBE [Journal Title: Physica B: Condensed Matter, Volume 685, 15 July 2024, 415962 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S092145262400303X?via%3Dihub]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica. B, Condensed matter Condensed matter, 2024-08, Vol.686, p.416081, Article 416081
Hauptverfasser:	Alenizi, Maha A., Aouassa, Mansour, Bouabdellaoui, Mohammed, Saron, K.M.A., Aladim, A.K., Ibrahim, Mohammed, Berbezier, Isabelle
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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