Random alloy growth of AlAs0.08Sb0.92 on GaSb under high Group-V flux condition

The growth of AlAsxSb1-x epilayers with x

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Materials science in semiconductor processing 2025-01, Vol.185, p.109012, Article 109012
Hauptverfasser:	Arpapay, Burcu, Ergürhan, Ayşe Aygül, Erenoğlu, Sabahattin Erinç, Alaydin, Behçet Özgür, Kulakcı, Mustafa, Serincan, Uğur
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlAsSb Group-V/III BEP ratio Low As concentration Molecular beam epitaxy
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The growth of AlAsxSb1-x epilayers with x
ISSN:	1369-8001
DOI:	10.1016/j.mssp.2024.109012