Improved frequency performance in AlGaN/GaN HEMTs on Si using hydrogen silsesquioxane-assisted gate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials science in semiconductor processing 2024-02, Vol.170, p.107985, Article 107985
Hauptverfasser: Jung, Hyun-Wook, Choi, Il-Gyu, Kim, Do-Hyun, Jung, Hyeon-Seok, Choi, Su-Min, Chang, Sung-Jae, Ahn, Ho-Kyun, Lim, Jong-Won, Kang, Dong-Min, Kim, Dae-Hyun, Won, Sang Min
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1369-8001
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107985