Improved frequency performance in AlGaN/GaN HEMTs on Si using hydrogen silsesquioxane-assisted gate
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Veröffentlicht in: | Materials science in semiconductor processing 2024-02, Vol.170, p.107985, Article 107985 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 1369-8001 |
DOI: | 10.1016/j.mssp.2023.107985 |