Stoichiometry ratio-induced structural and electronic properties changes of TaN thin films prepared by reactive magnetron sputtering

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Materials science in semiconductor processing 2024-02, Vol.170, p.107979, Article 107979
Hauptverfasser:	Yang, Bo, Huang, Tao, Dou, Yingying, Kong, Wenwen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!