Radiation defects as probes for the copper and nickel contamination during the chemomechanical polishing of Si wafers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials science in semiconductor processing 2024-01, Vol.169, p.107938, Article 107938
Hauptverfasser: Yarykin, Nikolai, Weber, Jörg
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1369-8001
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107938