Investigation of InGaAs/InP photodiode surface passivation using epitaxial regrowth of InP via photoluminescence and photocurrent

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science in semiconductor processing 2023-02, Vol.154, p.107200, Article 107200
Hauptverfasser:	Braga, O.M., Delfino, C.A., Kawabata, R.M.S., Pinto, L.D., Vieira, G.S., Pires, M.P., Souza, P.L., Marega, E., Carlin, J.A., Krishna, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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