Distinguishing various influences on the electrical properties of thin-barrier AlGaN/GaN heterojunctions with in-situ SiN caps

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science in semiconductor processing 2021-09, Vol.132, p.105907, Article 105907
Hauptverfasser:	He, Jiaqi, Cheng, Wei-Chih, Jiang, Yang, Fan, Mengya, Zhou, Guangnan, Yang, Gaiying, Jiang, Lingli, Wang, Xiang, Wu, Zhanxia, Wang, Qing, Yu, Hongyu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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