Performances of gate stacked heterojunction SELBOX and SOI tunnel FETs including interface trap charges: A simulation study

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology Solid-state materials for advanced technology, 2024-02, Vol.300, p.117115, Article 117115
Hauptverfasser:	Harsha, Nagendar, Tiwari, Shreyas, Chaudhary, Rashi, Saha, Rajesh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!