Enhancement mode β-(Al0.19Ga0.81)2O3/Ga2O3 HFETs with superlattice back-barrier layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Micro and nanostructures (2022) 2024-05, Vol.189, p.207802, Article 207802
Hauptverfasser:	Atmaca, Gökhan, Cha, Ho-Young
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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