Development of strain compensated InGaAs/InGaP multiple quantum wells in the 1.05–1.50 eV energy range for multijunction solar cells

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Micro and nanostructures (2022) 2023-08, Vol.180, p.207595, Article 207595
Hauptverfasser:	Costa, Edgard W., Micha, Daniel N., Kawabata, Rudy M.S., Pinto, Luciana D., Pires, Mauricio P., Souza, Patrícia L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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