Influence of interface structure in the active region on photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Micro and nanostructures (2022) 2023-05, Vol.177, p.207544, Article 207544
Hauptverfasser:	Shi, Kaiju, Wang, Chengxin, Li, Rui, Deng, Jianyang, Sun, Haofeng, Xu, Xiangang, Ji, Ziwu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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