$Nanobeam electron diffraction strain mapping in monocrystalline silicon of modern trench power MOSFETs$

Nanobeam electron diffraction strain mapping in monocrystalline silicon of modern trench power MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2022-08, Vol.264, p.111870, Article 111870
Hauptverfasser:	Karner, Stefan, Blank, Oliver, Rösch, Maximilian, Zalesak, Jakub, Keckes, Jozef, Gammer, Christoph
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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