Corrigendum to “Atomic structures of grain boundaries for Si and Ge: A simulated annealing method with artificial-neural-network interatomic potentials” [J. Phys. Chem. Solid. 173 (2023) 111114]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	The Journal of physics and chemistry of solids 2023-05, Vol.176, p.111273, Article 111273
Hauptverfasser:	Yokoi, Tatsuya, Kato, Hirotaka, Oshima, Yu, Matsunaga, Katsuyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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