Difference in growth rates at {1 1 0} and {1 1 1} crystal/melt interfaces of silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth 2022-09, Vol.593, p.126784, Article 126784
Hauptverfasser: Mishra, Shashank Shekhar, Chuang, Lu-Chung, Maeda, Kensaku, Nozawa, Jun, Morito, Haruhiko, Fujiwara, Kozo
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2022.126784