High-temperature optoelectronic transport behavior of n-MoS2 nanosheets/p-diamond heterojunction

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of alloys and compounds 2024-01, Vol.972, p.172819, Article 172819
Hauptverfasser: Zou, Liangrui, Sang, Dandan, Ge, Shunhao, Yao, Yu, Wang, Guangyu, Wang, Xueting, Fan, Jianchao, Wang, Qinglin
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0925-8388
DOI:10.1016/j.jallcom.2023.172819