High performance foreign-dopant-free ZnO/Al Ga N ultraviolet phototransistors using atomic-layer-deposited ZnO emitter layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of alloys and compounds 2023-03, Vol.937, p.168433, Article 168433
Hauptverfasser:	Wen, Quan, Lv, Zesheng, Lai, Shiquan, Li, Leyi, Jiang, Hao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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