Reduced leakage current in atomic-layer-deposited HfO2 thin films deposited at low temperature by in-situ defect passivation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied surface science 2024-02, Vol.645, p.158790, Article 158790
Hauptverfasser:	Kim, Suyeon, Lee, Seung-Hun, Jo, In Ho, Park, Tae Joo, Kim, Jeong Hwan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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