Conduction mechanism and impedance analysis of HfO x -based RRAM at different resistive states

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied surface science 2022-10, Vol.600, p.154084, Article 154084
Hauptverfasser: Bai, Jiao, Xie, Weiwei, Zhang, Weiqi, Yin, Zhipeng, Wei, Shengsheng, Qu, Dehao, Li, Yue, Qin, Fuwen, Zhou, Dayu, Wang, Dejun
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0169-4332
DOI:10.1016/j.apsusc.2022.154084