8-Inch Wafer Scale, Transfer-Free, High-Quality Monolayer Graphene Growth on Ti-Buffered Si (001) Substrates At 100 ºC via Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Transactions on electrical and electronic materials 2024-11
Hauptverfasser:	Yoon, Soon-Gil, Lee, Jeong-Min, Jeong, Jang-Su
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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