Effects of oxygen plasma treatment on V th uniformity of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronic materials letters 2014-03, Vol.10 (2), p.363-367
Hauptverfasser:	Hong, Ki-Ha, Choi, Hyuk Soon, Hwang, Injun, Kim, Jongseob
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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