Growth and characterization of Si1−x Getx QDs on Si/Si0.8Ge0.2 layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronic materials letters 2012-12, Vol.8 (6), p.559-563
Hauptverfasser:	Kim, Taek Sung, Kil, Yeon-Ho, Yang, Hyeon Deok, Yang, Jong-Han, Hong, Woong-Ki, Kang, Sukill, Jeong, Tae Soo, Shim, Kyu-Hwan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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