Influence of $$\hbox {Si}_{3}\hbox {N}_{4}$$ Si 3 N 4 layer on the electrical properties of Au/n-4H SiC diodes

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Bulletin of materials science 2018-06, Vol.41 (3), Article 66
Hauptverfasser: Yigiterol, Fatih, Gullu, Hasan H, Yildiz, Esra D
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0250-4707
0973-7669
DOI:10.1007/s12034-018-1586-2