MBE P-on-n Hg1−xCdxTe heterostructure detectors on silicon substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1998-06, Vol.27 (6), p.546-549
Hauptverfasser:	Wijewarnsuriya, P. S., Zandian, M., Edwall, D. D., McLevige, W. V., Chen, C. A., Pasko, J. G., Hildebrandt, G., Chen, A. C., Arias, J. M., D’Souza, A. I., Rujirawat, S., Sivananthan, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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