MBE-grown HgCdTe multi-layer heterojunction structures for high speed low-noise 1.3–1.6 µm avalanche photodetectors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1997-06, Vol.26 (6), p.488-492
Hauptverfasser:	Wu, Owen K., Rajavel, Rajesh D., De Lyon, Terry J., Jensen, John E., Jack, Mike D., Kosai, Ken, Chapman, George R., Sen, Sanghamitra, Baumgratz, Bonnie A., Walker, Bobby, Johnson, Bill
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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