Electrical and optoelectronic properties for devices that use MoS2 deposited on Si substrates with and without (NH4)2S x treatment by chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of materials science. Materials in electronics 2018-01, Vol.29 (1), p.351-356
Hauptverfasser:	Su, Ting-Hong, Wu, Chang-Lin, Chang, Hsing-Cheng, Lin, Yow-Jon
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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